Samsung Electronics está colaborando con Nvidia para acelerar el desarrollo de la próxima generación de chips de memoria NAND, según informa el Economic Daily de Seúl.
El Economic Daily de Seúl informa que Samsung Electronics está colaborando con Nvidia para acelerar el desarrollo de la próxima generación de chips de memoria NAND.
El informe señala que un equipo de investigación conjunto formado por el Instituto de Investigación de Semiconductores de Samsung, Nvidia y el Instituto de Tecnología de Georgia ha desarrollado con éxito un modelo llamado "Operador Neuronal de Información Física", capaz de analizar el rendimiento de los componentes NAND ferroeléctricos a una velocidad más de 10,000 veces más rápida que los modelos actuales. Los resultados de la investigación ya han sido divulgados.
Con base en estos resultados, Samsung está actualmente colaborando con Nvidia para avanzar en el desarrollo y la aplicación comercial de la memoria NAND ferroeléctrica.
Extracto del artículo
- Samsung y Nvidia colaboran en el desarrollo de memoria NAND.
- Se ha creado un modelo que analiza el rendimiento de los componentes NAND de manera 10,000 veces más rápida.
- Los resultados de la investigación ya han sido publicados al público.
