Longxin Storage, el mayor fabricante de DRAM en China, está avanzando con su plan de oferta pública inicial (IPO) en el mercado de ciencia y tecnología de Shanghai, con el objetivo de recaudar aproximadamente 29.5 mil millones de RMB (4.3 mil millones de dólares) para expandir su capacidad de producción. Medios de comunicación de Corea del Sur informan que este plan ha oscurecido las perspectivas del ciclo de memoria.
Longxin Storage, el mayor fabricante de memoria DRAM de China, está impulsando su plan de oferta pública inicial (IPO) en el mercado de ciencia y tecnología de Shanghai, con el objetivo de recaudar aproximadamente 29.5 mil millones de RMB (4.3 mil millones de dólares) para expandir su capacidad de producción. Medios de comunicación en Corea del Sur informan que la recaudación de fondos a través de la IPO ha creado sombras sobre las perspectivas del ciclo de memoria.
Se dice que Longxin Storage podría cotizar en junio, y dado que la nueva capacidad de producción podría coincidir con el inicio de la madurez del ciclo de memoria actual, este plan de cotización ha atraído la atención sobre las perspectivas de suministro en el mercado global de memoria.
Longxin Storage ha desmantelado el mercado al aumentar la oferta de DDR4 y otros DRAM genéricos, lo que ha presionado a los tres principales competidores: Samsung, SK Hynix y Micron. Hasta el tercer trimestre del año pasado, Longxin ocupaba el 5% del mercado global de DRAM, habiendo aumentado 2 puntos porcentuales con respecto al año anterior, y su tasa de utilización de capacidad también había aumentado al 94.6%.
El aumento en la producción de Longxin podría facilitar la suavización de la reciente tensión de suministro en el ciclo de memoria, lo que podría reducir la demanda anticipada de compras. Aunque los analistas no anticipan una caída drástica de precios, prevén que el aumento de precios se desacelere, lo que impactará directamente en la dinámica de ganancias.
Samsung y SK Hynix han reportado ganancias destacadas gracias a la memoria de alto ancho de banda (HBM), pero los DRAM genéricos siguen contribuyendo significativamente a los ingresos. Si el aumento de precios es menor al esperado, el crecimiento de ganancias podría perder impulso. Fuentes de la industria comentan que 'los productos de alto valor están creciendo rápidamente, pero no son suficientes para cambiar la estructura general. Si los precios de los DRAM genéricos caen, el crecimiento de ganancias se desacelerará'.
Además de afectar el suministro a corto plazo de DRAM, a largo plazo, la configuración del mercado también podría cambiar. Los fondos recaudados a través de la IPO de Longxin podrían utilizarse para áreas de mayor valor como HBM. Si Longxin desarrolla capacidades competitivas en HBM, la estructura del mercado podría pasar de un dominio de tres jugadores a cuatro, desafiando así la posición dominante de Samsung, SK Hynix y Micron.
Extracto del artículo
- Longxin Storage planea una IPO en el mercado de ciencia y tecnología de Shanghai para recaudar 29.5 mil millones de RMB.
- Aumentará la producción de DRAM, lo que podría desequilibrar el mercado global de memoria.
- Se prevé que el incremento de producción afecte los precios y las ganancias de los principales competidores.
- La posición de los líderes del mercado podría verse desafiada si Longxin desarrolla capacidades competitivas en HBM.
